Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Карпович, И. А. - Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность / Полупроводниковые структуры, г...
Карпович, И. А. - Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность / Полупроводниковые структуры, г...
Статья
Автор: Карпович, И. А.
Физика и техника полупроводников: Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность / Полупроводниковые структуры, г...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Карпович, И. А.
Физика и техника полупроводников: Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность / Полупроводниковые структуры, г...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Карпович, И. А.
Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / И. А. Карпович, С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, И. А. Андрющенко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 3 . – с. 319-323 .
Карпович, И. А.
Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / И. А. Карпович, С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, И. А. Андрющенко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 3 . – с. 319-323 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 3
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 3
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный