Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кайбышев, В. Х. - Влияние интерфейсных ступенек роста на анизотропию экситонного излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe...
Кайбышев, В. Х. - Влияние интерфейсных ступенек роста на анизотропию экситонного излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe...
Статья
Автор: Кайбышев, В. Х.
Физика и техника полупроводников: Влияние интерфейсных ступенек роста на анизотропию экситонного излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кайбышев, В. Х.
Физика и техника полупроводников: Влияние интерфейсных ступенек роста на анизотропию экситонного излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кайбышев, В. Х.
Влияние интерфейсных ступенек роста на анизотропию экситонного излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe / Низкоразмерные системы / В. Х. Кайбышев, В. В. Травников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 4 . – с. 464-472 .
Кайбышев, В. Х.
Влияние интерфейсных ступенек роста на анизотропию экситонного излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe / Низкоразмерные системы / В. Х. Кайбышев, В. В. Травников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 4 . – с. 464-472 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 4
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 4
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный