Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Войцеховский, А. В. - Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров гетероэпитаксиальных структур CdxHd1-xTe, выраще...
Войцеховский, А. В. - Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров гетероэпитаксиальных структур CdxHd1-xTe, выраще...
Статья
Автор: Войцеховский, А. В.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров гетероэпитаксиальных структур CdxHd1-xTe, выраще...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Войцеховский, А. В.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров гетероэпитаксиальных структур CdxHd1-xTe, выраще...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Войцеховский, А. В.
Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров гетероэпитаксиальных структур CdxHd1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Физические свойства и методы исследования / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, М. Ф. Филатов, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2006 . – N 2 . – с. 54-59 .
Войцеховский, А. В.
Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров гетероэпитаксиальных структур CdxHd1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Физические свойства и методы исследования / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, М. Ф. Филатов, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2006 . – N 2 . – с. 54-59 .