Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Андреев, А. Ю. - Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничен...
Андреев, А. Ю. - Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничен...
Статья
Автор: Андреев, А. Ю.
Физика и техника полупроводников: Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничен...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Андреев, А. Ю.
Физика и техника полупроводников: Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничен...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничения / Физика полупроводниковых приборов / А. Ю. Андреев, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, А. А. Мармалюк, Т. А. Налет, А. А. Падалица, Н. А. Пихтин, Д. Р. Сабитов, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, М. А. Хомылев, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 5 . – с. 628-632 .
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничения / Физика полупроводниковых приборов / А. Ю. Андреев, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, А. А. Мармалюк, Т. А. Налет, А. А. Падалица, Н. А. Пихтин, Д. Р. Сабитов, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, М. А. Хомылев, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 5 . – с. 628-632 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 5
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 5
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный