Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бурдиян, И. И. - Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3 (As2Se3)0.7 / Амор...
Бурдиян, И. И. - Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3 (As2Se3)0.7 / Амор...
Статья
Автор: Бурдиян, И. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3 (As2Se3)0.7 / Амор...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бурдиян, И. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3 (As2Se3)0.7 / Амор...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бурдиян, И. И.
Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3 (As2Se3)0.7 / Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты / И. И. Бурдиян, Э. А. Сенокосов, В. В. Косюк, Р. А. Пынзарь // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 10 . – с. 1250-1253 .
Бурдиян, И. И.
Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3 (As2Se3)0.7 / Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты / И. И. Бурдиян, Э. А. Сенокосов, В. В. Косюк, Р. А. Пынзарь // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 10 . – с. 1250-1253 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 10
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 10
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный