Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Герчиков, Л. Г. - Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны...
Герчиков, Л. Г. - Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны...
Статья
Автор: Герчиков, Л. Г.
Физика и техника полупроводников: Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Герчиков, Л. Г.
Физика и техника полупроводников: Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Герчиков, Л. Г.
Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны проводимости / Низкоразмерные системы / Л. Г. Герчиков, Ю. А. Мамаев, А. В. Субашиев, Ю. П. Яшин, Д. А. Васильев, В. В. Кузьмичев, А. Е. Жуков, Е. С. Семенова, А. П. Васильев, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 11 . – с. 1361-1367 .
Герчиков, Л. Г.
Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны проводимости / Низкоразмерные системы / Л. Г. Герчиков, Ю. А. Мамаев, А. В. Субашиев, Ю. П. Яшин, Д. А. Васильев, В. В. Кузьмичев, А. Е. Жуков, Е. С. Семенова, А. П. Васильев, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 11 . – с. 1361-1367 .