Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кадушкин, В. И. - Особенности распределения 2D электронов по подзонам квантовой ямы одиночного сильно тлегированног...
Кадушкин, В. И. - Особенности распределения 2D электронов по подзонам квантовой ямы одиночного сильно тлегированног...
Статья
Автор: Кадушкин, В. И.
Физика и техника полупроводников: Особенности распределения 2D электронов по подзонам квантовой ямы одиночного сильно тлегированног...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кадушкин, В. И.
Физика и техника полупроводников: Особенности распределения 2D электронов по подзонам квантовой ямы одиночного сильно тлегированног...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кадушкин, В. И.
Особенности распределения 2D электронов по подзонам квантовой ямы одиночного сильно тлегированного гетероперехода / Низкоразмерные системы / В. И. Кадушкин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 12 . – с. 1443-1448 .
Кадушкин, В. И.
Особенности распределения 2D электронов по подзонам квантовой ямы одиночного сильно тлегированного гетероперехода / Низкоразмерные системы / В. И. Кадушкин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 12 . – с. 1443-1448 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 12
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 12
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный