Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Красильников, О. М. - Время релаксации фононов в Si, Ge, GaAs, InSb и HgSe / Физические свойства и методы исследования
Красильников, О. М. - Время релаксации фононов в Si, Ge, GaAs, InSb и HgSe / Физические свойства и методы исследования
Статья
Автор: Красильников, О. М.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Время релаксации фононов в Si, Ge, GaAs, InSb и HgSe / Физические свойства и методы исследования
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Красильников, О. М.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Время релаксации фононов в Si, Ge, GaAs, InSb и HgSe / Физические свойства и методы исследования
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Красильников, О. М.
Время релаксации фононов в Si, Ge, GaAs, InSb и HgSe / Физические свойства и методы исследования / О. М. Красильников // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2006 . – N 4 . – с. 59-62 .
Красильников, О. М.
Время релаксации фононов в Si, Ge, GaAs, InSb и HgSe / Физические свойства и методы исследования / О. М. Красильников // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2006 . – N 4 . – с. 59-62 .
Привязано к:
Нет экз.