Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Униполярные транзисторные структуры на основе Ga1-x Alx P. Особенности кристаллизации методом жид...
Униполярные транзисторные структуры на основе Ga1-x Alx P. Особенности кристаллизации методом жид...
Книга (аналит. описание)
Автор:
Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия: Униполярные транзисторные структуры на основе Ga1-x Alx P. Особенности кристаллизации методом жид...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия: Униполярные транзисторные структуры на основе Ga1-x Alx P. Особенности кристаллизации методом жид...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Униполярные транзисторные структуры на основе Ga1-x Alx P. Особенности кристаллизации методом жидкостной эпитаксии // Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия / А. Искандеров, Х. Х. Бустанов, К. Расулов, др. ; отв. ред. М. С. Саидов . – Ташкент : Фан, 1986 . – С. 38-49 .
Униполярные транзисторные структуры на основе Ga1-x Alx P. Особенности кристаллизации методом жидкостной эпитаксии // Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия / А. Искандеров, Х. Х. Бустанов, К. Расулов, др. ; отв. ред. М. С. Саидов . – Ташкент : Фан, 1986 . – С. 38-49 .
Привязано к:
Доступно
2 из 2
Книга
Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Фан, 1986 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Фан, 1986 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный