Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Боднарь, И. В. - Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением
Боднарь, И. В. - Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением
Статья
Автор: Боднарь, И. В.
Физика и техника полупроводников: Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Боднарь, И. В.
Физика и техника полупроводников: Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Боднарь, И. В.
Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением / И. В. Боднарь, В. А. Полубок, В. Ф. Гременюк, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 1 . – С. 48-52 .
Боднарь, И. В.
Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением / И. В. Боднарь, В. А. Полубок, В. Ф. Гременюк, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 1 . – С. 48-52 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 1
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 1
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный