Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: 3. Физико-химический анализ причин образования зарядов и накопления примесей в системе Si-SiO2
3. Физико-химический анализ причин образования зарядов и накопления примесей в системе Si-SiO2
Книга (аналит. описание)
Автор:
Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС: 3. Физико-химический анализ причин образования зарядов и накопления примесей в системе Si-SiO2
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС: 3. Физико-химический анализ причин образования зарядов и накопления примесей в системе Si-SiO2
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
3. Физико-химический анализ причин образования зарядов и накопления примесей в системе Si-SiO2 // Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев . – М. : Техносфера, 2003 . – С. 87-200 .
3. Физико-химический анализ причин образования зарядов и накопления примесей в системе Si-SiO2 // Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев . – М. : Техносфера, 2003 . – С. 87-200 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Книга
Красников, Г. Я.
Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС
Техносфера, 2003 г.
ISBN 5-948360-08-3
Библиотека МИСИС : Научный
Красников, Г. Я.
Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС
Техносфера, 2003 г.
ISBN 5-948360-08-3
Библиотека МИСИС : Научный