Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лебедев, А. А. - Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC
Лебедев, А. А. - Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC
Статья
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лебедев, А. А.
Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC / А. А. Лебедев, В. В. Зеленин, П. Л. Абрамов, Е. В. Богданова, С. П. Лебедев, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин, М. П. Щеглов, А. С. Трегубова, M. Suvajarvi, R. Vakimova // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 3 . – С. 273-275 .
Лебедев, А. А.
Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC / А. А. Лебедев, В. В. Зеленин, П. Л. Абрамов, Е. В. Богданова, С. П. Лебедев, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин, М. П. Щеглов, А. С. Трегубова, M. Suvajarvi, R. Vakimova // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 3 . – С. 273-275 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 3
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 3
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный