Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Тысченко, И. Е. - Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоля...
Тысченко, И. Е. - Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоля...
Статья
Автор: Тысченко, И. Е.
Физика и техника полупроводников: Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоля...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Тысченко, И. Е.
Физика и техника полупроводников: Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоля...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Тысченко, И. Е.
Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе / И. Е. Тысченко, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 3 . – С. 301-306 .
Тысченко, И. Е.
Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе / И. Е. Тысченко, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 3 . – С. 301-306 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 3
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 3
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный