Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Данишевский, А. М. - Фотолюминесценция слоев SiO2, пиготовленных на плекнах beta-SiC, и анализ их элементного состава
Данишевский, А. М. - Фотолюминесценция слоев SiO2, пиготовленных на плекнах beta-SiC, и анализ их элементного состава
Статья
Автор: Данишевский, А. М.
Физика твердого тела: Фотолюминесценция слоев SiO2, пиготовленных на плекнах beta-SiC, и анализ их элементного состава
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Данишевский, А. М.
Физика твердого тела: Фотолюминесценция слоев SiO2, пиготовленных на плекнах beta-SiC, и анализ их элементного состава
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Данишевский, А. М.
Фотолюминесценция слоев SiO2, пиготовленных на плекнах beta-SiC, и анализ их элементного состава / А. М. Данишевский, В. М. Лебедев, А. Ю. Рогачев, В. Б. Шуман, А. А. Ситникова, Р. В. Золотарева // Физика твердого тела . – 2007 . – Т. 49, N 5 . – С. 791-797 .
Данишевский, А. М.
Фотолюминесценция слоев SiO2, пиготовленных на плекнах beta-SiC, и анализ их элементного состава / А. М. Данишевский, В. М. Лебедев, А. Ю. Рогачев, В. Б. Шуман, А. А. Ситникова, Р. В. Золотарева // Физика твердого тела . – 2007 . – Т. 49, N 5 . – С. 791-797 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1