Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Baryshev, S. V. - Applying of EBIV technique for investigation of electrophysical parameters of devices based on HTSC
Baryshev, S. V. - Applying of EBIV technique for investigation of electrophysical parameters of devices based on HTSC
Статья
Автор: Baryshev, S. V.
Физика и техника полупроводников: Applying of EBIV technique for investigation of electrophysical parameters of devices based on HTSC
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Baryshev, S. V.
Физика и техника полупроводников: Applying of EBIV technique for investigation of electrophysical parameters of devices based on HTSC
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Baryshev, S. V.
Applying of EBIV technique for investigation of electrophysical parameters of devices based on HTSC / S. V. Baryshev, A. V. Bobyl, O. P. Kostyleva // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 5 . – c. 522-525 .
Baryshev, S. V.
Applying of EBIV technique for investigation of electrophysical parameters of devices based on HTSC / S. V. Baryshev, A. V. Bobyl, O. P. Kostyleva // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 5 . – c. 522-525 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 5
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 5
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный