Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Пагава, Т. А. - Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si
Пагава, Т. А. - Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si
Статья
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Пагава, Т. А.
Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si / Т. А. Пагава // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 6 . – С. 651-653 .
Пагава, Т. А.
Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si / Т. А. Пагава // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 6 . – С. 651-653 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 6
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 41, N 6
2007 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный