Электронный каталог -Андреев, В. М. - Действие повреждающих облучений (p, e, y) на фотовольтаические и туннельные p-n-переходы из GaAs ...- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Андреев, В. М. - Действие повреждающих облучений (p, e, y) на фотовольтаические и туннельные p-n-переходы из GaAs ...

Андреев, В. М. - Действие повреждающих облучений (p, e, y) на фотовольтаические и туннельные p-n-переходы из GaAs ...

Статья
Автор: Андреев, В. М.
Физика и техника полупроводников: Действие повреждающих облучений (p, e, y) на фотовольтаические и туннельные p-n-переходы из GaAs ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Андреев, В. М.
Действие повреждающих облучений (p, e, y) на фотовольтаические и туннельные p-n-переходы из GaAs и GaSb / В. М. Андреев, В. В. Евстропов, В. С. Калиновский, В. М. Лантратов, В. П. Хвостиков // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 6 . – С. 756-760 .