Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Болховитянов, Ю. Б. - Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствии сурфактанта Sb методом моле...
Болховитянов, Ю. Б. - Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствии сурфактанта Sb методом моле...
Статья
Автор: Болховитянов, Ю. Б.
Физика и техника полупроводников: Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствии сурфактанта Sb методом моле...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Болховитянов, Ю. Б.
Физика и техника полупроводников: Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствии сурфактанта Sb методом моле...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Болховитянов, Ю. Б.
Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствии сурфактанта Sb методом молекулярной эпитаксии / Ю. Б. Болховитянов, А. С. Дерябин, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников, Л. В. Соколов // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – T. 41, N 10 . – С. 1251-1256 .
Болховитянов, Ю. Б.
Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствии сурфактанта Sb методом молекулярной эпитаксии / Ю. Б. Болховитянов, А. С. Дерябин, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников, Л. В. Соколов // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – T. 41, N 10 . – С. 1251-1256 .