Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Пожела, Ю.
Повышение подвижности электронов в двухбарьерной гетероструктуре AiGaAs/GaAs/AlGaAs при введении в квантовую яму GaAs тонких InAs-барьеров для полярных оптических фононов / Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, С. Балакаускас, В. П. Евтихиев, А. С. Школьник, Ю. Стораста, А. Мекис // Физика и техника полупроводников . – 2007 . – Т. 41, N 12 . – С. 1460-1465 .