Электронный каталог -Грехов, И. В. - Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Грехов, И. В. - Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора

Грехов, И. В. - Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора

Статья
Автор: Грехов, И. В.
Физика и техника полупроводников: Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Грехов, И. В.
Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора / И. В. Грехов, П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, О. И. Коньков, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 2 . – С. 211-214 .