Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Астахова, А. П. - Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры
Астахова, А. П. - Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры
Статья
Автор: Астахова, А. П.
Физика и техника полупроводников: Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Астахова, А. П.
Физика и техника полупроводников: Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Астахова, А. П.
Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры / А. П. Астахова, Т. В. Безъязычная, Л. И. Буров, А. С. Горбацевич, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 2 . – С. 228-232 .
Астахова, А. П.
Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры / А. П. Астахова, Т. В. Безъязычная, Л. И. Буров, А. С. Горбацевич, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 2 . – С. 228-232 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников T. 42, N 2
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников T. 42, N 2
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный