Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ладугин, М. А. - Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии
Ладугин, М. А. - Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии
Статья
Автор: Ладугин, М. А.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ладугин, М. А.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ладугин, М. А.
Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии / М. А. Ладугин, А. В. Сухарев, А. А. Падалица, П. В. Булаев, А. А. Мармалюк // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2008 . – N 1 . – С. 36-40 .
Ладугин, М. А.
Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии / М. А. Ладугин, А. В. Сухарев, А. А. Падалица, П. В. Булаев, А. А. Мармалюк // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2008 . – N 1 . – С. 36-40 .
Привязано к:
Нет экз.