Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дьяконов, Л. И. - Морфологические и структурные особенности квазиподложек GaN, выращенных на сапфире методом хлорид...
Дьяконов, Л. И. - Морфологические и структурные особенности квазиподложек GaN, выращенных на сапфире методом хлорид...
Статья
Автор: Дьяконов, Л. И.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Морфологические и структурные особенности квазиподложек GaN, выращенных на сапфире методом хлорид...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дьяконов, Л. И.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Морфологические и структурные особенности квазиподложек GaN, выращенных на сапфире методом хлорид...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Дьяконов, Л. И.
Морфологические и структурные особенности квазиподложек GaN, выращенных на сапфире методом хлоридно-гидридной эпитаксии / Л. И. Дьяконов, Ю. П. Козлова, А. В. Марков, М. В. Меженный, В. Ф. Павлов, Е. А. Петрова, Т. Г. Югова // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2008 . – N 1 . – С. 47-51 .
Дьяконов, Л. И.
Морфологические и структурные особенности квазиподложек GaN, выращенных на сапфире методом хлоридно-гидридной эпитаксии / Л. И. Дьяконов, Ю. П. Козлова, А. В. Марков, М. В. Меженный, В. Ф. Павлов, Е. А. Петрова, Т. Г. Югова // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2008 . – N 1 . – С. 47-51 .
Привязано к:
Нет экз.