Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Зайцев, С. В. - Резонансное туннелирование носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe
Зайцев, С. В. - Резонансное туннелирование носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe
Статья
Автор: Зайцев, С. В.
Физика и техника полупроводников: Резонансное туннелирование носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Зайцев, С. В.
Физика и техника полупроводников: Резонансное туннелирование носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Зайцев, С. В.
Резонансное туннелирование носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe / С. В. Зайцев, А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, А. Вааг // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – Т. 42, N 5 . – С. 555-559 .
Зайцев, С. В.
Резонансное туннелирование носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe / С. В. Зайцев, А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, А. Вааг // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – Т. 42, N 5 . – С. 555-559 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 42, N 5
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 42, N 5
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный