Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Юрасов, Д. В. - Критическая толщина перехода по Странскому-Крастанову с учетом эффекта сегрегации
Юрасов, Д. В. - Критическая толщина перехода по Странскому-Крастанову с учетом эффекта сегрегации
Статья
Автор: Юрасов, Д. В.
Физика и техника полупроводников: Критическая толщина перехода по Странскому-Крастанову с учетом эффекта сегрегации
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Юрасов, Д. В.
Физика и техника полупроводников: Критическая толщина перехода по Странскому-Крастанову с учетом эффекта сегрегации
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Юрасов, Д. В.
Критическая толщина перехода по Странскому-Крастанову с учетом эффекта сегрегации / Д. В. Юрасов, Ю. Н. Дроздов // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – Т. 42, N 5 . – С. 579-585 .
Юрасов, Д. В.
Критическая толщина перехода по Странскому-Крастанову с учетом эффекта сегрегации / Д. В. Юрасов, Ю. Н. Дроздов // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – Т. 42, N 5 . – С. 579-585 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 42, N 5
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 42, N 5
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный