Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Рабинович, О. И. - Результаты моделирования InGaN светоизлучающих диодов
Рабинович, О. И. - Результаты моделирования InGaN светоизлучающих диодов
Книга (аналит. описание)
Автор: Рабинович, О. И.
Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов: Результаты моделирования InGaN светоизлучающих диодов
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Рабинович, О. И.
Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов: Результаты моделирования InGaN светоизлучающих диодов
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Рабинович, О. И.
Результаты моделирования InGaN светоизлучающих диодов / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов : материалы I Междунар. казахстанско-рос.-яп. науч. конф. и VI рос.-яп. семинара (МИСиС-Interactive Corp.-ВКГТУ 24-25 июня 2008 года) / ред. Л. В. Кожитов . – М. : Изд-во МГИУ, 2008 . – С. 641-651 .
Рабинович, О. И.
Результаты моделирования InGaN светоизлучающих диодов / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов : материалы I Междунар. казахстанско-рос.-яп. науч. конф. и VI рос.-яп. семинара (МИСиС-Interactive Corp.-ВКГТУ 24-25 июня 2008 года) / ред. Л. В. Кожитов . – М. : Изд-во МГИУ, 2008 . – С. 641-651 .