Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Литовченко, В. Г. - Механизм термостабильности Si большого диаметра, полученного методом Чохральского
Литовченко, В. Г. - Механизм термостабильности Si большого диаметра, полученного методом Чохральского
Статья
Автор: Литовченко, В. Г.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Механизм термостабильности Si большого диаметра, полученного методом Чохральского
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Литовченко, В. Г.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Механизм термостабильности Si большого диаметра, полученного методом Чохральского
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Литовченко, В. Г.
Механизм термостабильности Si большого диаметра, полученного методом Чохральского / В. Г. Литовченко, И. П. Лисовский, В. П. Кладько, А. А. Ефремов, С. А. Злобин, Н. В. Слободян // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2008 . – N 3 . – с. 37-42 .
Литовченко, В. Г.
Механизм термостабильности Si большого диаметра, полученного методом Чохральского / В. Г. Литовченко, И. П. Лисовский, В. П. Кладько, А. А. Ефремов, С. А. Злобин, Н. В. Слободян // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2008 . – N 3 . – с. 37-42 .
Привязано к:
Нет экз.