Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Войцеховский, А. В. - Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпита...
Войцеховский, А. В. - Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпита...
Статья
Автор: Войцеховский, А. В.
Физика и техника полупроводников: Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпита...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Войцеховский, А. В.
Физика и техника полупроводников: Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпита...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Войцеховский, А. В.
Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, В. В. Васильев // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 11 . – С. 1327-1332 .
Войцеховский, А. В.
Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, В. В. Васильев // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 11 . – С. 1327-1332 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников T. 42, N 11
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников T. 42, N 11
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный