Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Силаев, И. В. - Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
Силаев, И. В. - Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
Доступно
1 из 1
1 из 1
Диссертация
Автор: Силаев, И. В.
Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
2008 г.
ISBN отсутствует
Автор: Силаев, И. В.
Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
2008 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Диссертация
С-36д
Силаев, И. В.
Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / И. В. Силаев ; науч. рук. А. П. Блиев . – Владикавказ, 2008 . – 177с. : ил. + Библиогр.: с. 164-177.
621.315.592:548.5(043.3)
Общий = Материаловедение : полупроводники
Общий = Кристаллография : кристаллы : рост
317585 19:Фонд дис.МИСиС
С-36д
Силаев, И. В.
Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / И. В. Силаев ; науч. рук. А. П. Блиев . – Владикавказ, 2008 . – 177с. : ил. + Библиогр.: с. 164-177.
621.315.592:548.5(043.3)
Общий = Материаловедение : полупроводники
Общий = Кристаллография : кристаллы : рост
317585 19:Фонд дис.МИСиС