Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Санкин, В. И. - Гигантский всплеск ударной ионизации в p-n-переходе политипа 6H-SiC
Санкин, В. И. - Гигантский всплеск ударной ионизации в p-n-переходе политипа 6H-SiC
Статья
Автор: Санкин, В. И.
Физика и техника полупроводников: Гигантский всплеск ударной ионизации в p-n-переходе политипа 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Санкин, В. И.
Физика и техника полупроводников: Гигантский всплеск ударной ионизации в p-n-переходе политипа 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Санкин, В. И.
Гигантский всплеск ударной ионизации в p-n-переходе политипа 6H-SiC / В. И. Санкин, П. П. Шкребий // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 12 . – С. 1439-1443 .
Санкин, В. И.
Гигантский всплеск ударной ионизации в p-n-переходе политипа 6H-SiC / В. И. Санкин, П. П. Шкребий // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 12 . – С. 1439-1443 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников T. 42, N 12
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников T. 42, N 12
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный