Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Тысченко, И. Е. - Рост и электрофизические свойства гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионно...
Тысченко, И. Е. - Рост и электрофизические свойства гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионно...
Статья
Автор: Тысченко, И. Е.
Физика и техника полупроводников: Рост и электрофизические свойства гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионно...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Тысченко, И. Е.
Физика и техника полупроводников: Рост и электрофизические свойства гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионно...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Тысченко, И. Е.
Рост и электрофизические свойства гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионной имплантации и последующего водородного переноса / И. Е. Тысченко, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – T. 43, N 1 . – С. 58-63 .
Тысченко, И. Е.
Рост и электрофизические свойства гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионной имплантации и последующего водородного переноса / И. Е. Тысченко, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – T. 43, N 1 . – С. 58-63 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников T. 43, N 1
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников T. 43, N 1
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный