Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Шенгуров, В. Г. - Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремниевых слоев n-типа проводимости на сильно ...
Шенгуров, В. Г. - Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремниевых слоев n-типа проводимости на сильно ...
Статья
Автор: Шенгуров, В. Г.
Физика и техника полупроводников: Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремниевых слоев n-типа проводимости на сильно ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Шенгуров, В. Г.
Физика и техника полупроводников: Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремниевых слоев n-типа проводимости на сильно ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Шенгуров, В. Г.
Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремниевых слоев n-типа проводимости на сильно легированных бором подложках / В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, Д. В. Шенгуров, С. А. Денисов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – T. 43, N 2 . – С. 193-196 .
Шенгуров, В. Г.
Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремниевых слоев n-типа проводимости на сильно легированных бором подложках / В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, Д. В. Шенгуров, С. А. Денисов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – T. 43, N 2 . – С. 193-196 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников T. 43, N 2
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников T. 43, N 2
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный