Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Александров, О. В.
Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного диспрозием и гольмием / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / О. В. Александров, А. О. Захарьин, Н. А. Соболев, Е. И. Шек, М. И. Маковийчук, Е. О. Паршин // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 9 . – 1029-1032 .