Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Карпович, И. А. - Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами GaAs/InGaAs ...
Карпович, И. А. - Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами GaAs/InGaAs ...
Статья
Автор: Карпович, И. А.
Физика и техника полупроводников: Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами GaAs/InGaAs ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Карпович, И. А.
Физика и техника полупроводников: Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами GaAs/InGaAs ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Карпович, И. А.
Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами GaAs/InGaAs при обработке в водородной плазме / Низкоразмерные системы / И. А. Карпович, А. В. Аншон, Д. О. Филатов // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 9 . – 1089-1093 .
Карпович, И. А.
Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами GaAs/InGaAs при обработке в водородной плазме / Низкоразмерные системы / И. А. Карпович, А. В. Аншон, Д. О. Филатов // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 9 . – 1089-1093 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 9
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 9
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный