Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 4 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 4 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Алуев, А. В.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-азеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной э...
б.г.
ISBN отсутствует
Алуев, А. В.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-азеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной э...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Блохин, С. А.
Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Блохин, С. А.
Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кабанов, В. В.
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Кабанов, В. В.
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алиев, К. М.
Абсолютное отрицательное сопротивление и многозначности на вольт-амперных характеристиках туннель...
б.г.
ISBN отсутствует
Алиев, К. М.
Абсолютное отрицательное сопротивление и многозначности на вольт-амперных характеристиках туннель...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Грузинцев, А. Н.
Визуализация связанных фотонных мод наностержней ZnO при помощи растровой катодолюминесценции
б.г.
ISBN отсутствует
Грузинцев, А. Н.
Визуализация связанных фотонных мод наностержней ZnO при помощи растровой катодолюминесценции
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мокеров, В. Г.
Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях
б.г.
ISBN отсутствует
Мокеров, В. Г.
Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Булярский, С. В.
Туннельная рекомбинация в полупроводниковых структурах с наноразупорядочением
б.г.
ISBN отсутствует
Булярский, С. В.
Туннельная рекомбинация в полупроводниковых структурах с наноразупорядочением
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шеховцов, Н. А.
Зависимость емкости германиевых p+-p-переходов от тока в области температур 290-330К
б.г.
ISBN отсутствует
Шеховцов, Н. А.
Зависимость емкости германиевых p+-p-переходов от тока в области температур 290-330К
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Новодворский, О. А.
Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием
б.г.
ISBN отсутствует
Новодворский, О. А.
Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Саидов, А. С.
Вольт-амперная характеристика p-n-структур на основе непрерывного твердого раствора (Si2)1-x(CdS)x
б.г.
ISBN отсутствует
Саидов, А. С.
Вольт-амперная характеристика p-n-структур на основе непрерывного твердого раствора (Si2)1-x(CdS)x
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Брудный, В. Н.
Электрические свойства диарсенида цинка - олова (ZnSnAs2), облученного ионами H+
б.г.
ISBN отсутствует
Брудный, В. Н.
Электрические свойства диарсенида цинка - олова (ZnSnAs2), облученного ионами H+
б.г.
ISBN отсутствует