Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ершов, А. В. - Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки альфа-SiGe / Аморфные, стеклообр...
Ершов, А. В. - Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки альфа-SiGe / Аморфные, стеклообр...
Статья
Автор: Ершов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки альфа-SiGe / Аморфные, стеклообр...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ершов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки альфа-SiGe / Аморфные, стеклообр...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ершов, А. В.
Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки альфа-SiGe / Аморфные, стеклообразование и пористые полупроводники / А. В. Ершов, А. И. Машин, А. Ф. Хохлов // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 10 . – 1260-1262 .
Ершов, А. В.
Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки альфа-SiGe / Аморфные, стеклообразование и пористые полупроводники / А. В. Ершов, А. И. Машин, А. Ф. Хохлов // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 10 . – 1260-1262 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 10
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 10
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный