Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Андреев, А. Ю. - Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
Андреев, А. Ю. - Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
Статья
Автор: Андреев, А. Ю.
Физика и техника полупроводников: Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Андреев, А. Ю.
Физика и техника полупроводников: Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs / А. Ю. Андреев, С. А. Зорина, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, А. А. Мармалюк // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 4 . – С. 543-547 .
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs / А. Ю. Андреев, С. А. Зорина, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, А. А. Мармалюк // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 4 . – С. 543-547 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 4
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 4
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный