Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Алуев, А. В. - GaInAsP/GaInP/AlGaInP-азеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной э...
Алуев, А. В. - GaInAsP/GaInP/AlGaInP-азеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной э...
Статья
Автор: Алуев, А. В.
Физика и техника полупроводников: GaInAsP/GaInP/AlGaInP-азеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной э...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Алуев, А. В.
Физика и техника полупроводников: GaInAsP/GaInP/AlGaInP-азеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной э...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Алуев, А. В.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-азеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии / А. В. Алуев, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 4 . – С. 556-560 .
Алуев, А. В.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-азеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии / А. В. Алуев, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 4 . – С. 556-560 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 4
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 4
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный