Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ионычев, В. К. - Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов
Ионычев, В. К. - Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов
Статья
Автор: Ионычев, В. К.
Физика и техника полупроводников: Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ионычев, В. К.
Физика и техника полупроводников: Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ионычев, В. К.
Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов / В. К. Ионычев, А. Н. Ребров // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 7 . – С. 980-984 .
Ионычев, В. К.
Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов / В. К. Ионычев, А. Н. Ребров // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 7 . – С. 980-984 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 7
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 7
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный