Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Чалдышев, В. В. - Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой т...
Чалдышев, В. В. - Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой т...
Статья
Автор: Чалдышев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой т...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Чалдышев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой т...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Чалдышев, В. В.
Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой температуре и периодически дельта-легированных сурьмой и фосфором / В. В. Чалдышев, М. А. Яговкина, М. В. Байдакова, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 8 . – С. 1117-1125 .
Чалдышев, В. В.
Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой температуре и периодически дельта-легированных сурьмой и фосфором / В. В. Чалдышев, М. А. Яговкина, М. В. Байдакова, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 8 . – С. 1117-1125 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 8
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 8
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный