Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Моисеев, К. Д. - Особенности эпитаксильного роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs
Моисеев, К. Д. - Особенности эпитаксильного роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs
Статья
Автор: Моисеев, К. Д.
Физика и техника полупроводников: Особенности эпитаксильного роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Моисеев, К. Д.
Физика и техника полупроводников: Особенности эпитаксильного роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Моисеев, К. Д.
Особенности эпитаксильного роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs / К. Д. Моисеев, Я. А. Пархоменко, Е. В. Гущина, А. В. Анкудинов, М. П. Михайлова, Н. А. Берт, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 8 . – С. 1142-1150 .
Моисеев, К. Д.
Особенности эпитаксильного роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs / К. Д. Моисеев, Я. А. Пархоменко, Е. В. Гущина, А. В. Анкудинов, М. П. Михайлова, Н. А. Берт, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 8 . – С. 1142-1150 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 8
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 8
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный