Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Вольфсон, А. А. - Самопроизвольное отделение слоя AlN, полученного методом сублимации, от подложки SiC-6H
Вольфсон, А. А. - Самопроизвольное отделение слоя AlN, полученного методом сублимации, от подложки SiC-6H
Статья
Автор: Вольфсон, А. А.
Физика и техника полупроводников: Самопроизвольное отделение слоя AlN, полученного методом сублимации, от подложки SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Вольфсон, А. А.
Физика и техника полупроводников: Самопроизвольное отделение слоя AlN, полученного методом сублимации, от подложки SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Вольфсон, А. А.
Самопроизвольное отделение слоя AlN, полученного методом сублимации, от подложки SiC-6H / А. А. Вольфсон // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 6 . – C.:847-849 .
Вольфсон, А. А.
Самопроизвольное отделение слоя AlN, полученного методом сублимации, от подложки SiC-6H / А. А. Вольфсон // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 6 . – C.:847-849 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 6
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 6
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный