Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Корнилов, В. М. - Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si-SiO2: использование режима ошибки обратной связи ...
Корнилов, В. М. - Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si-SiO2: использование режима ошибки обратной связи ...
Статья
Автор: Корнилов, В. М.
Физика и техника полупроводников: Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si-SiO2: использование режима ошибки обратной связи ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Корнилов, В. М.
Физика и техника полупроводников: Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si-SiO2: использование режима ошибки обратной связи ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Корнилов, В. М.
Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si-SiO2: использование режима ошибки обратной связи при исследовании поверхности / В. М. Корнилов, А. Н. Лачинов, Б. А. Логинов, В. А. Беспалов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 6 . – С.:850-853 .
Корнилов, В. М.
Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si-SiO2: использование режима ошибки обратной связи при исследовании поверхности / В. М. Корнилов, А. Н. Лачинов, Б. А. Логинов, В. А. Беспалов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 6 . – С.:850-853 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 6
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 6
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный