Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Иванов, П. А. - Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
Иванов, П. А. - Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
Статья
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Иванов, П. А.
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC / П. А. Иванов, И. В. Грехов, А. С. Потапов, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 9 . – С. 1249-1252 .
Иванов, П. А.
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC / П. А. Иванов, И. В. Грехов, А. С. Потапов, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 9 . – С. 1249-1252 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 9
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 9
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный