Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Винокуров, Д. А. - Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Винокуров, Д. А. - Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Статья
Автор: Винокуров, Д. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Винокуров, Д. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии / Д. А. Винокуров, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Н. А. Пихтин, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, Н. В. Фетисова, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 9 . – С. 1253-1257 .
Винокуров, Д. А.
Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии / Д. А. Винокуров, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Н. А. Пихтин, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, Н. В. Фетисова, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 9 . – С. 1253-1257 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 9
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 9
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный