Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Павлюченко, А. С. - Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температ...
Павлюченко, А. С. - Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температ...
Статья
Автор: Павлюченко, А. С.
Физика и техника полупроводников: Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Павлюченко, А. С.
Физика и техника полупроводников: Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Павлюченко, А. С.
Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температурной зависимости внешнего квантового выхода / А. С. Павлюченко, И. В. Рожанский, Д. А. Закгейм // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 10 . – С. 1391-1395 .
Павлюченко, А. С.
Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температурной зависимости внешнего квантового выхода / А. С. Павлюченко, И. В. Рожанский, Д. А. Закгейм // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 10 . – С. 1391-1395 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 10
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 10
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный