Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Аждаров, Г. Х. - Распределение примесей Ga и Sb в кристаллах Ge-Si, выращенных методом Бриджмена с использованием ...
Аждаров, Г. Х. - Распределение примесей Ga и Sb в кристаллах Ge-Si, выращенных методом Бриджмена с использованием ...
Статья
Автор: Аждаров, Г. Х.
Кристаллография: Распределение примесей Ga и Sb в кристаллах Ge-Si, выращенных методом Бриджмена с использованием ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Аждаров, Г. Х.
Кристаллография: Распределение примесей Ga и Sb в кристаллах Ge-Si, выращенных методом Бриджмена с использованием ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Аждаров, Г. Х.
Распределение примесей Ga и Sb в кристаллах Ge-Si, выращенных методом Бриджмена с использованием подпитывающего слитка / Г. Х. Аждаров, З. М. Зейналов, Л. А. Гусейнли // Кристаллография . – 2009 . – T. 54, N 1 . – С. 159-163 .
Аждаров, Г. Х.
Распределение примесей Ga и Sb в кристаллах Ge-Si, выращенных методом Бриджмена с использованием подпитывающего слитка / Г. Х. Аждаров, З. М. Зейналов, Л. А. Гусейнли // Кристаллография . – 2009 . – T. 54, N 1 . – С. 159-163 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1