Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бочкарева, Н. И. - Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN
Бочкарева, Н. И. - Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN
Статья
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бочкарева, Н. И.
Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN / Н. И. Бочкарева, А. Л. Богатов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, А. С. Зубрилов, А. И. Цюк, А. В. Клочков, Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 11 . – С. 1541-1548 .
Бочкарева, Н. И.
Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN / Н. И. Бочкарева, А. Л. Богатов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, А. С. Зубрилов, А. И. Цюк, А. В. Клочков, Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 11 . – С. 1541-1548 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 11
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 11
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный