Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лундин, В. В. - Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
Лундин, В. В. - Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
Статья
Автор: Лундин, В. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лундин, В. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лундин, В. В.
Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов / В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Синицын, А. В. Сахаров, С. О. Усов, А. Е. Николаев, Д. В. Давыдов, Н. А. Черкашин, А. Ф. Цацульников // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 1 . – С. 126-129 .
Лундин, В. В.
Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов / В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Синицын, А. В. Сахаров, С. О. Усов, А. Е. Николаев, Д. В. Давыдов, Н. А. Черкашин, А. Ф. Цацульников // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 1 . – С. 126-129 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 1
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 1
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный