Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 3 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 3 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Садофьев, Ю. Г.
Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм
б.г.
ISBN отсутствует
Садофьев, Ю. Г.
Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кузнецов, В. П.
Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структур на основе кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Кузнецов, В. П.
Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структур на основе кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кузнецов, В. П.
Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 К
б.г.
ISBN отсутствует
Кузнецов, В. П.
Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 К
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Анисимов, О. В.
Влияние золота на свойства сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3
б.г.
ISBN отсутствует
Анисимов, О. В.
Влияние золота на свойства сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Журавлева, О. В.
Оценка надежности полупроводникового излучателя ИЛПН-134
б.г.
ISBN отсутствует
Журавлева, О. В.
Оценка надежности полупроводникового излучателя ИЛПН-134
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Николаев, Ю. А.
Гетеропереходы полисалицилиденазометины/Si (GaAs): создание и свойства
б.г.
ISBN отсутствует
Николаев, Ю. А.
Гетеропереходы полисалицилиденазометины/Si (GaAs): создание и свойства
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Агафонова, Е. А.
Влияние термического окисления на перенос носителей заряда в наноструктурированном кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Агафонова, Е. А.
Влияние термического окисления на перенос носителей заряда в наноструктурированном кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гуляев, Д. В.
Форма рельефа гетерограниц в (311)А-ориентированных структурах GaAs/AlAs
б.г.
ISBN отсутствует
Гуляев, Д. В.
Форма рельефа гетерограниц в (311)А-ориентированных структурах GaAs/AlAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дмитриев, А. И.
Влияние отжига на микроволновое магнетосопротивление в тонких пленках Ge0.96Mn0.04
б.г.
ISBN отсутствует
Дмитриев, А. И.
Влияние отжига на микроволновое магнетосопротивление в тонких пленках Ge0.96Mn0.04
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кязым-заде, А. Г.
Фотопроводимость и люминесценция кристаллов GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения
б.г.
ISBN отсутствует
Кязым-заде, А. Г.
Фотопроводимость и люминесценция кристаллов GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения
б.г.
ISBN отсутствует